變頻器電壓保護
1、 過電壓保護
產(chǎn)生過電壓的原因及處理方法:
① 電源電壓太高
② 降速時間太短
③ 降速過程中,再生制動的放電單元工作不理想,來不及放電,請增加外接制動電阻和制動單元
④ 請檢查放電回路有沒有發(fā)生故障,實際并不放電;對于小功率的變頻器很有放電電阻損壞
2、 欠電壓保護
產(chǎn)生欠電壓的原因及處理方法:
① 電源電壓太低
② 電源缺相;
③ 整流橋故障:如果六個整流二極管中有部分因損壞而短路,整流后的電壓將下降,對于整流器件和晶閘管的損壞,應(yīng)注意檢查,及時更換。
逆變器件的介紹:
1.SCR和GTO晶閘管
⑴普通晶閘管SCR 曾稱可控硅,它有三個極:陽極,陰極和門極。
SCR的工作特點是,當在門極與陰極間加一個不大的正向電壓(G為+,K為-)時,SCR即導(dǎo)通,負載Rl中就有電流流過。導(dǎo)通后,即使取消門極電壓,SCR仍保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當陽極電路的電壓為0或負值時,SCR才關(guān)斷。所以,只需要用一個脈沖信號,就可以控制其導(dǎo)通了,故它常用于可控整流。
作為一種無觸點的半導(dǎo)體開關(guān)器件,其允許反復(fù)導(dǎo)通和關(guān)斷的次數(shù)幾乎是無限的,并且導(dǎo)通的控制也十分方便。這是一般的"通-斷開關(guān)"所望塵莫及的,從而使實現(xiàn)異步電動機的變頻調(diào)速取得了突破。但由于變頻器的逆變電路是在直流電壓下工作的,而SCR在直流電壓下又不能自行關(guān)斷,因此,要實現(xiàn)逆變,還必須增加輔助器件和相應(yīng)的電路來幫助它關(guān)斷。所以,盡管當時的變頻調(diào)速裝置在個別領(lǐng)域(如風機和泵類負載)已經(jīng)能夠?qū)嵱,但未能進入大范圍的普及應(yīng)用階段。
⑵門極關(guān)斷(GTO)晶閘管 SCR在一段時間內(nèi),幾乎是能夠承受高電壓和大電流的唯一半導(dǎo)體器件。因此,針對SCR的缺點,人們很自然地把努力方向引向了如何使晶閘管具有關(guān)斷能力這一點上,并因此而開發(fā)出了門極關(guān)斷晶閘管。
GTO晶閘管的基本結(jié)構(gòu)和SCR類似,它的三個極也是:陽極(A)、陰極(K)和門極(G)。其圖行符號也和SCR相似,只是在門極上加一短線,以示區(qū)別。
GTO晶閘管的基本電路和工作特點是:
①在門極G上加正電壓或正脈沖(開關(guān)S和至位置1)GTO晶閘管即導(dǎo)通。其后,即使撤消控制信號(開關(guān)回到位置0),GTO晶閘管仍保持導(dǎo)通?梢,GTO晶閘管的導(dǎo)通過程和SCR的導(dǎo)通過程完全相同。
②如在G、K間加入反向電壓或較強的反向脈沖(開關(guān)和至位置2),可使GTO晶閘管關(guān)斷。 用GTO晶閘管作為逆變器件取得了較為滿意的結(jié)果,但其關(guān)斷控制較易失敗,故仍較復(fù)雜,工作頻率也不夠高。而幾乎是與此同時,大功率管(GTR)迅速發(fā)展了起來,使GTO晶閘管相形見絀。因此,在大量的中小容量變頻器中,GTO晶閘管已基本不用。但其工作電流大,故在大容量變頻器中,仍居主要地位。
逆變器件的介紹:上次我們向大家介紹了普通晶閘管(SCR)和門極關(guān)斷晶閘管(GTO),最重要是讓大家了解變頻器中逆變器件是如何工作的,它們起到什么作用!接下來我們講:大功率晶體管(GTR)-大功率晶體管,也叫雙極結(jié)型晶體管(BJT)。
1、 變頻器用的GTR一般都是(復(fù)合管)模塊,其內(nèi)部有三個極分別是集電極C、發(fā)射極E和基極B。根據(jù)變頻器的工作特點,在晶體管旁還并聯(lián)了一個反向連接的續(xù)流二極管。又根據(jù)逆變橋的特點,常做成雙管模塊,甚至可以做成6管模塊。
2、 工作時狀態(tài) 和普通晶體管一樣,GTR也是一種放大器件,具有三種基本的工作狀態(tài):
⑴放大狀態(tài) 起基本工作特點是集電極電流Ic的大小隨基極電流Ib而變 Ic=βIb 式中β------GTR的電流放大倍數(shù)。
GTR處于放大狀態(tài)時,其耗散功率Pc較大。設(shè)Uc=200V,Rc=10Ω,β=50,Ib=200mA(0.2A) 計算如下:Ic= βIb=50*0.2A=10A Uce=Uc-IcRc=(200-10*10)V=100V Pc=UceIc=100*10W=1000W=1KW ⑵飽和狀態(tài) Ib增大時,Ic隨之而增大的狀態(tài)要受到歐姆定律的制約。當 βIb>Uc/Rc 時,Ic=βIb的關(guān)系便不能再維持了,這時,GTR開始進入"飽和"狀態(tài)。而當 Ic的大小幾乎完全由歐姆定律決定,即 Ics≈Uc/Rc 時,GTR便處于深度飽和狀態(tài)(Ics 為飽和電流)。這時,GTR的飽和壓降Uces約 為1-5V。
GTR處于飽和狀態(tài)時的功耗是很小的。上例中,設(shè)Uces=2V,則 Ics=Uc/Rc=200/10A=20A Pc=UcesIcs=2*20W=40W
可見,與放大狀態(tài)相比,相差甚遠。
⑶截止狀態(tài) 即關(guān)斷狀態(tài)。這是基極電流Ib≤0的結(jié)果。
在截止狀態(tài),GTR只有很微弱的漏電流流過,因此,其功耗是微不足道的。
GTR在逆變電路中是用來作為開關(guān)器件的,工作過程中,總是在飽和狀態(tài)間進行交替。所以,逆變用的GTR的額定功耗通常是很小的。而如上述,如果GTR處于放大狀態(tài),其功耗將增大達百倍以上。所以,逆變電路中的GTR是不允許在放大狀態(tài)下小作停留的。
3.主要參數(shù)
⑴在截止狀態(tài)時
①擊穿電壓Uceo和Ucex:能使集電極C和發(fā)射極E之間擊穿的最小電壓;鶚OB開路是用 Uceo表示,B、E間接入反向偏壓時用Ucex 表示。在大多數(shù)情況下,這兩個數(shù)據(jù)是相等的。
②漏電流Iceo 和 Icex:截止狀態(tài)下,從C極流向E極的電流。B極開路時為 Iceo,B、E間反偏時為 Icex。
⑵在飽和狀態(tài)時
① 集電極最大電流Icm:GTR飽和導(dǎo)通是的最大允許電流。
② 飽和壓降Uces:當GTR飽和導(dǎo)通時,C、E間的電壓降。
⑶在開關(guān)過程中
① 開通時間Ton:從B極通入正向信號電流時起,到集電極電流上升到0.9 Ics 所需要的時間。
② 關(guān)斷時間Toff:從基極電流撤消時起,至Ic下降至0.1 Ics 所需的時間
開通時間和關(guān)斷時間將直接影響到SPWM調(diào)制是的載波頻率。通常,使用GTR做逆變管時的載波頻率底于2KHz。
4.變頻器用GTR的選用
⑴Uceo 通常按電源線電壓U峰值的2倍來選擇。
Uceo≥2廠2U 在電源電壓為380V的變頻器中,應(yīng)有 Uceo≥2廠2U*380V=1074.8V,故選用 Uceo=1200V的GTR是適宜的。
⑵Icm 按額定電流In峰值的2倍來選擇 Icm≥2廠2 In GTR是用電流信號進行驅(qū)動的,所需驅(qū)動功率較大,故基極驅(qū)動系統(tǒng)比較復(fù)雜,并使工作頻率難以提高,這是其不足之處。 今天我告訴大家的是MOSFET以及IGBT
1、 功率場效應(yīng)晶體管(POWER MOSFET) 它的3個極分別是源極S、漏極D和柵極G
其工作特點是,G、S間的控制信號是電壓信號Ugs。改變Ugs的大小,主電路的漏極電流Id也跟著改變。由于G、S間的輸入阻抗很大,故控制電流幾乎為0,所需驅(qū)動功率很小。和GTR相比,其驅(qū)動系統(tǒng)比較簡單,工作頻率也比較高。此外,MOSFET還具有熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大 等優(yōu)點。
但是,功率場效應(yīng)晶體管在提高擊穿電壓和增大電流方面進展較慢,故在變頻器中的應(yīng)用尚不能居主導(dǎo)地位。
2、 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT是MOSFET和GTR相結(jié)合的產(chǎn)物,是柵極為絕緣柵結(jié)構(gòu)(MOS結(jié)構(gòu))的晶體管,它的三個極分別是集電極C、發(fā)射極E和柵極G。
工作特點是,控制部分與場效應(yīng)晶體管相同,控制信號為電壓信號Uge,輸入阻抗很高,柵極電流I≈0,故驅(qū)動功率很小。而起主電路部分則與GTR相同,工作電流為集電極電流I。
至今,IGBT的擊穿電壓也已做到1200V,集電極最大飽和電流已超過1500A,由IGBT作為逆變器件的變頻器容量已達到250KVA以上。
此外,其工作頻率可達20KHZ。由IGBT作為逆變器件的變頻器的載波頻率一般都在10KHZ以上,故電動機的電源波形比較平滑,基本無電磁噪聲。
在變頻器工作時,流過變頻器的電流是很大的, 變頻器產(chǎn)生的熱量也是非常大的,不能忽視其發(fā)熱所產(chǎn)生的影響
通常,變頻器安裝在控制柜中。我們要了解一臺變頻器的發(fā)熱量大概是多少. 可以用以下公式估算: 發(fā)熱量的近似值= 變頻器容量(KW)×55 [W]
在這里, 如果變頻器容量是以恒轉(zhuǎn)矩負載為準的 (過流能力150% * 60s)
如果變頻器帶有直流電抗器或交流電抗器, 并且也在柜子里面, 這時發(fā)熱量會更大一些。 電抗器安裝在變頻器側(cè)面或測上方比較好。
這時可以用估算: 變頻器容量(KW)×60 [W]
因為各變頻器廠家的硬件都差不多, 所以上式可以針對各品牌的產(chǎn)品.
注意: 如果有制動電阻的話,因為制動電阻的散熱量很大, 因此最好安裝位置最好和變頻器隔離開, 如裝在柜子上面或旁邊等。
那么, 怎樣才能降低控制柜內(nèi)的發(fā)熱量呢?
當變頻器安裝在控制機柜中時,要考慮變頻器發(fā)熱值的問題。
根據(jù)機柜內(nèi)產(chǎn)生熱量值的增加,要適當?shù)卦黾訖C柜的尺寸。因此,要使控制機柜的尺寸盡量減小,就必須要使機柜中產(chǎn)生的熱量值盡可能地減少。
如果在變頻器安裝時,把變頻器的散熱器部分放到控制機柜的外面,將會使變頻器有70%的發(fā)熱量釋放到控制機柜的外面。由于大容量變頻器有很大的發(fā)熱量,所以對大容量變頻器更加有效。
還可以用隔離板把本體和散熱器隔開, 使散熱器的散熱不影響到變頻器本體。這樣效果也很好。 注意:變頻器散熱設(shè)計中都是以垂直安裝為基礎(chǔ)的,橫著放散熱會變差的!
冷卻風扇
一般功率稍微大一點的變頻器, 都帶有冷卻風扇。同時,也建議在控制柜上出風口安裝冷卻風扇。進風口要加濾網(wǎng)以防止灰塵進入控制柜。 注意控制柜和變頻器上的風扇都是要的,不能誰替代誰。
其他關(guān)于散熱的問題
在海拔高于1000m的地方,因為空氣密度降低,因此應(yīng)加大柜子的冷卻風量以改善冷卻效果。理論上變頻器也應(yīng)考慮降容,1000m每-5%。但由于實際上因為設(shè)計上變頻器的負載能力和散熱能力一般比實際使用的要大, 所以也要看具體應(yīng)用。 比方說在1500m的地方,但是周期性負載,如電梯,就不必要降容。
2。 開關(guān)頻率:變頻器的發(fā)熱主要來自于IGBT, IGBT的發(fā)熱有集中在開和關(guān)的瞬間。 因此開關(guān)頻率高時自然變頻器的發(fā)熱量就變大了。 有的廠家宣稱降低開關(guān)頻率可以擴容, 就是這個道理。
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